NEO Semiconductor は最近、DRAM メモリの現状を完全に変えることが期待される 2 つの新しい 3D X-DRAM ユニット設計、1T1C と 3T0C の発売を発表しました。これら 2 つの設計では、それぞれ、単一トランジスタの単一静電容量アーキテクチャと 3 トランジスタのゼロ静電容量アーキテクチャを使用します。概念実証テストチップは 2026 年に生産される予定で、現在の通常の DRAM モジュールの 10 倍の容量を提供します。
NEO の 3D X-DRAM テクノロジーに基づいて、新しく設計されたメモリ ユニットは、単一モジュールで 512Gb (64GB) の容量を収容できます。これは、現在市場にあるどのモジュールよりも少なくとも 10 倍です。
NEO のテスト シミュレーションでは、これらのユニットは 10 ナノ秒の読み取りおよび書き込み速度と 9 分を超える保持時間を達成しました。どちらも現在の DRAM 機能の最前線にあります。
新しい設計では、インジウム ガリウム 亜鉛 酸化物 (IGZO) ベースの材料が使用されており、1T1C セルと 3T0C セルは、スタック設計を使用して 3D NAND のように構築でき、エネルギー効率を維持しながら容量とスループットを向上させます。
NEO Semiconductor の CEO、Andy Hsu 氏は次のように述べています。「1T1C および 3T0C 3D X-DRAM の導入により、私たちはメモリ テクノロジで何が可能かを再定義しています。このイノベーションは今日の DRAM のスケーリング制限を打ち破り、NEO を次世代メモリのリーダーにします。」
NEO Semiconductor は、今月の IEEE 国際メモリ シンポジウムで、1T1C、3T0C、その他の 3D X-DRAM および 3D NAND シリーズ製品に関する詳細情報を共有する予定です。