本日、インテルは、IEDM2024 (2024 IEEE 国際電子デバイス会議) で実証された数々の技術的進歩を紹介する文書を発行しました。新しい材料に関しては、サブトラクティブ ルテニウム相互接続技術により線間容量を最大 25% 削減でき、チップ内の相互接続の改善に役立ちます。

Intel Foundry は、スループットを最大 100 倍向上させ、超高速のチップ間実装を実現できる高度なパッケージングのためのヘテロジニアス統合ソリューションを初めて実証しました。

さらに、インテル ファウンドリは、デバイスの性能を向上させるために 2D 電界効果トランジスタ (2DFET) を縮小するためのシリコンベースの Ribbion FECMOS (相補型金属酸化物半導体) テクノロジーとゲート酸化膜モジュールも実証しました。

300mm GaN (窒化ガリウム) テクノロジーに関しても、Intel Foundry は研究を進め続け、業界をリードする高性能小型エンハンスメントモード GaNMOSHEMT (金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタ) を製造しました。

信号損失の低減、信号の直線性の向上、基板裏面処理に基づく高度な統合ソリューションにより、パワーデバイスや高周波デバイスなどのアプリケーションに強力なパフォーマンスをもたらすことができます。

Intel Foundry はまた、次の 3 つの主要なイノベーションの焦点が、今後 10 年間で AI がよりエネルギー効率の高い方向に発展するのに役立つと考えています。

高度なメモリ統合により、容量、帯域幅、遅延のボトルネックを解消します。

相互接続帯域幅を最適化するハイブリッド ボンディング。

モジュラーシステムと対応する接続​​ソリューション