SKhynix はブログ投稿で、2024 年に次世代 HBM4 高帯域幅メモリの開発を開始することを確認しました。これまでのところ、Micron と Samsung が次世代 HBM4 メモリ製品をリストすると同時に、この開発を確認しているのを見てきました。両社は2025年から2026年あたりのリリース時期を強調している。 SKhynixからの最新の確認によると、同社は2024年に次世代の高帯域幅メモリの生産を開始する計画も発表した。
HBM製品について語る際、シニアマネージャーのKim Wang-soo氏は、同社が2024年に既存のHBM3メモリの強化版である独自のHBM3Eソリューションを量産する予定であることを強調した。新しいメモリにより、速度と容量が向上します。しかし、同じ年に、SKhynix は HBM4 メモリの開発を開始する予定であり、これは HBM 製品スタックの継続的な進化における重要なステップとなります。
競争上の優位性は来年も継続します。 GSMチーム長のキム・ワンス氏は、「来年にはHBM3Eの量産・販売が計画されており、当社の市場優位性は再び最大化されるだろう。後続製品HBM4の開発作業も本格化するため、SKHynixのHBMは来年新たな段階に入る。当社にとって今年は記念すべき年になるだろう」と述べた。
開発は2024年に予定されているため、このメモリモジュールを搭載した実際の製品は2025年末か2026年までに入手可能になると予想されます。Trendforceが最近共有したロードマップでは、最初のHBM4サンプルのスタック容量は36GBになると予測されており、完全な仕様は2024年から2025年の後半頃にJEDECによってリリースされる予定です。最初の顧客サンプルと提供は 2026 年に予定されているため、新しい高帯域幅メモリ ソリューションが実際に動作するのを見るまでにはまだ時間がかかります。
36 GB スタックを備えたこの製品は 288 GB の容量で利用可能であり、より大容量のものも計画されています。 HBM3E メモリの最大速度は 9.8Gbps に達しているため、HBM4 が初めて 10Gbps を超える 2 桁のマークを突破すると期待できます。製品に関しては、NVIDIA の Blackwell は HBM3E メモリ モジュールを使用すると予想されているため、Blackwell の後継製品 (おそらく Vera Rubin にちなんで命名された)、または最初に HBM4 を使用した Hopper H200 (HBM3E) のようなそのアップグレードとなるでしょう。