半導体

118件の記事

📅 10-05

報道によると、中国は液浸DUVリソグラフィー装置を343台備蓄しており、7nmチップの生産を促進し続ける能力がある可能性がある

要約: 最新の調査報告書によると、先進的なEUVリソグラフィー装置の輸出に対する厳格な制限にもかかわらず、中国本土のウェーハ製造企業は近年液浸DUVリソグラフィー装置を購入し続けており、先進的なリソグラフィー能力のかなりの予備を確立している

📅 10-04

世界の多国籍投資家トップ10のリストが発表:TSMCが1位、ByteDanceが2位

要旨:「fDiレポート2026」とVisual Capitalistによる最新分析によると、2025年に世界の多国籍企業が発表した新規「海外直接投資」総額は1兆3000億米ドルを超え、前年比2.2%増と微増となった。この統計は、企業の合併・

📅 10-03

TSMCがマスク氏のTerafabプロジェクトに接近、米国の産業チェーン統合ウェーハ工場計画が浮上

概要: TSMC はイーロン・マスク氏の Terafab プロジェクトとの協力の可能性を模索しています。最近公開された情報によると、両国は米国でより完全かつ先進的な半導体製造システムを確立することを目標に協力の可能性について話し合っている。

📅 10-03

科学者は金属コバルトをベースにした「ハニカム」磁気構造を作成

要約: 日本の大阪大学研究チームは最近、材料科学において進歩を遂げた。研究チームは、比較的一般的な金属コバルトを使用して、既存のハニカム結晶構造を持つ酸化膜内に局所的なコバルトハニカム構造を構築し、キタエフ型量子材料に関連する特殊な磁性を観

📅 10-03

TDK、光透過率約80%のスマートグラス網膜直接投影ディスプレイ試作150nmメタストラクチャーレンズを展示

要約: 日本の電子部品メーカーTDKは、メタ光学レンズを使用してスマートグラスで直接網膜投影ディスプレイを実現する技術を初めて実証すると発表した。このソリューションは、厚さわずか 150 ナノメートルの平面レンズを眼鏡レンズに埋め込み、ナノ

📅 10-02

Samsung HBM4の価格はHBM3Eの3倍に高騰する可能性があり、DRAM業界の需要と供給の構造は引き続き変化する

要約: 人工知能業界が拡大を続ける中、高帯域幅メモリ (HBM) は世界のストレージ業界で最も重要な成長エンジンになりつつあります。最新の市場情報によると、Samsung の次世代 HBM4 製品の価格は、既存の HBM3E 製品の約 3

📅 10-02

Amazon、80億ドル相当のNvidiaチップを投資家に販売予定

概要: 事情に詳しい関係者によると、アマゾンはバランスシートを最適化するために、新設の特別手段を通じて約80億ドル相当のNvidiaハイエンドチップを外部投資家に販売する計画だという。同社はこの取引に対する市場の需要を測るため、ここ数週間投

📅 10-01

マイクロンの財務報告書では、メモリ価格が大幅に下落する可能性は低く、人型ロボットがストレージ需要の新たな波をもたらすと考えている。

要約:世界的なメモリチップ大手のマイクロン・テクノロジーは最近、2026会計年度の第4四半期決算を発表した後、将来人工知能ブームが沈静化したとしてもメモリ市場は大幅な値下げは見られない可能性があると発表した。同社は、人型ロボットに代表される

📅 10-01

TSMCはテキサス州の拡張計画を検討中か、米国に2番目の先進プロセス製造拠点を建設していると報じられている

概要: 報道によると、TSMCは米国テキサス州での半導体製造事業を拡大する可能性を検討しているとのこと。この計画が最終的に実行されれば、TSMCにとってアリゾナ州に次ぐ米国で2番目の大規模先端プロセス製造拠点となり、関連投資は以前に約束され

📅 09-30

AOC、初のネイティブ 1000Hz ゲーミング モニターを発売 24.5 インチ Fast IPS パネルは最大 1050Hz までオーバークロック可能

概要: AOC は最近、初のネイティブ 1000Hz ゲーミング モニター AGON PRO AGP257FT を正式にリリースしました。このモニターは、解像度 1920×1080、ネイティブ リフレッシュ レート 1000Hz の 24.

📅 09-30

Intelの特許は、マイクロLEDをCPUパッケージに統合してチップ表面のテキストを点灯することを提案しています

要約: 最近公開されたインテルの特許は、マイクロ LED をチップ パッケージに直接統合するソリューションを実証しています。 2022年に出願されたこの特許は、マイクロLEDを備えたガラス基板に埋め込まれ、ガラス貫通ビア(TGV)を介して電