ウエハース

38件の記事

📅 10-13

マスク氏:テスラとスペースXは、毎年10セットのチップ設計をテストするためにTerafabに依存する計画だ

概要:テスラとスペースXのイーロン・マスク最高経営責任者(CEO)は、両社はテキサス・ギガファクトリーにあるテラファブ研究開発工場で年間約10セットのチップ設計を製造、テストする計画だと述べた。マスク氏は、重要なチップが研究開発から量産され

📅 10-13

GlobalFoundries が FDX Fusion ロードマップを発表: 7nm レベルのデジタル性能を目標に、ドレスデンは 2028 年に量産を計画

要約: GlobalFoundries (GF) は、FDX Fusion 完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター (FD-SOI) プロセス・ルートを発表しました。これは、ロボット、自動車、産業オートメーションなどの「物理 AI」機器

📅 10-12

インテルとブロードコムのCEOが警告:財務上の制約が人工知能にとって最大のボトルネックになる可能性がある

要約: コンピューティング インフラストラクチャに対する需要は引き続き供給を上回っていますが、Intel と Broadcom の CEO は、資本へのアクセスが人工知能の開発における大きな制約になる可能性があると警告しました。 Broad

📅 10-12

異例の軒並み値上げ:ASMLリソグラフィー装置部品は軒並み10%値上げ、韓国のストレージ大手は全て受け入れ

概要:世界最大の半導体装置メーカーであるASML(ASML)は、韓国に販売するすべての装置交換部品の価格を10%値上げする。今回の値上げは、極紫外(EUV)および深紫外(DUV)リソグラフィー装置のすべてのコンポーネントが対象となり、202

📅 10-11

Changxin Memory は新しい DRAM アーキテクチャに賭けており、Samsung よりも 2 年早く商業的なブレークスルーを達成すると予想されています

要約: 中国のメモリ チップ メーカー Changxin Memory (CXMT) は、次世代 DRAM テクノロジ レイアウトを加速しており、4F² メモリ セル アーキテクチャを使用した DDR5 RDIMM サーバー メモリ製品を今

📅 10-08

SKハイニックスのHBMハイブリッドボンディング技術開発が障害に遭遇、サムスンが次世代高帯域幅メモリ競争で一時的にリードする可能性

要旨: 韓国の業界関係者によると、高帯域幅メモリ(HBM)市場の世界的リーダーであるSKハイニックスは、ハイブリッドボンディング技術の研究開発で課題に直面しており、その進歩は主な競合他社であるサムスン電子に比べて遅れている可能性があるという

📅 10-07

日本のRapidusは約150億ドルの政府支援を受け、1年以内に2nmチップファウンドリの量産開始を目指す

要旨:日本政府支援のチップメーカーであるラピダスは顧客設計支援体制の構築を強化し、2027年度下期の2ナノメートルチップファウンドリの量産開始を目指している。同社は10月5日、チップ設計ソフトウェアベンダーのシノプシスやケイデンス、インフォ

📅 10-05

報道によると、中国は液浸DUVリソグラフィー装置を343台備蓄しており、7nmチップの生産を促進し続ける能力がある可能性がある

要約: 最新の調査報告書によると、先進的なEUVリソグラフィー装置の輸出に対する厳格な制限にもかかわらず、中国本土のウェーハ製造企業は近年液浸DUVリソグラフィー装置を購入し続けており、先進的なリソグラフィー能力のかなりの予備を確立している

📅 10-05

ロシア、870億元を投じて14nmウェーハ工場建設:2036年完成、300mmウェーハをターゲット

要約:「ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス会社」(ОМК)設立の枠組みの下で、ロシアは3つの新しいチップ工場の建設を計画しており、そのうちの1つは300mmウェーハと14nmプロセスのチップ生産のための「将来を見据えた量産」工場である。

📅 10-03

TSMCがマスク氏のTerafabプロジェクトに接近、米国の産業チェーン統合ウェーハ工場計画が浮上

概要: TSMC はイーロン・マスク氏の Terafab プロジェクトとの協力の可能性を模索しています。最近公開された情報によると、両国は米国でより完全かつ先進的な半導体製造システムを確立することを目標に協力の可能性について話し合っている。