要約:
中国の DRAM メモリ チップ メーカー Changxin Memory (CXMT) は、第 5 世代 DRAM テクノロジ プラットフォームが正式に量産段階に入ったと発表しました。この進歩は、中国のストレージ業界の発展における重要なマイルストーンとみなされており、また、Changxin Storage がサムスン電子、SK ハイニックス、マイクロンなどの世界の大手メーカーとの技術格差をさらに縮めていることも意味します。
DRAM は、スマートフォン、パーソナル コンピュータ、サーバーなどの電子デバイスがアプリケーションを実行するために必要なコア ワーキング メモリです。近年、人工知能、高性能コンピューティング、およびモバイル端末の性能が向上し続けるにつれて、先進的な DRAM 製品に対する世界市場の需要は成長し続けています。
Changxin Memory が発表した情報によると、第 5 世代テクノロジー プラットフォームの目標は、消費電力と生産コストを削減しながら、より強力なパフォーマンスと大容量のメモリ製品を作成することです。同社は、この新しいプラットフォームにより端末電子製品メーカーにより多くのメモリチップ供給源が提供され、業界チェーンの供給柔軟性が強化されると述べた。
中国最大の DRAM メーカーとして、Changxin Memory は今回、メモリ セルの密度を高めることに重点を置いています。データストレージを担う小さな構造をさらに縮小し、集積度を高めることで、新しいプラットフォームは同じエリアにより多くのメモリセルを収容でき、1枚のウェーハから切り出せるチップの数が増えるため、全体的な出力効率が向上します。
Changxin Storage は、新しいプラットフォームにより、ストレージ アレイの主要な構造ピッチが 11.95 ナノメートルに縮小されたことを明らかにしました。これは、1 メートルの約 120 億分の 1 に相当します。この目標を達成するために、同社は 4 重パターニング プロセスを使用しています。これは、複数の製造ステップを繰り返し実行して、より洗練された回路構造を形成することにより、従来のプロセスの制限を打ち破ります。
安徽省合肥で開催された 2026 年世界製造会議で、長新ストレージ マーケット センター所長の羅暁東氏は、同社のプロセス能力は世界最先端の量産ストレージ プラットフォームと同じレベルに達したと述べました。
新しいプラットフォームの量産に伴い、Changxin Memory は、第 5 世代プラットフォームに基づいた 24Gb LPDDR5X モバイル メモリ チップもリリースしました。 LPDDR5X は、主にスマートフォンやタブレットなどのモバイル デバイスで使用される低電力 DRAM 規格です。
新製品の容量は、前世代の同様の製品よりも 50% 向上しており、量産段階に入っています。 2 つの製品は、最終製品のさまざまなニーズに応じて、スマートフォンやさまざまな携帯電子機器のデザインに適した異なるパッケージ形態を提供します。
新しいプラットフォームでは、単一チップの容量が増加するだけでなく、製造効率も大幅に向上します。 Changxin Memory は、比較ベンチマークとして 8Gb 製品を使用した場合、第 5 世代プラットフォームがウェーハあたりに生産できるチップの数は第 4 世代プラットフォームより少なくとも 50% 多いと述べました。
この指標は最終的な歩留まりを表すものではなく、欠陥チップが除去される前に理論的に 1 枚のウェーハから切り出すことができるチップの総数を指します。しかし、メモリ業界にとって、ウェーハ利用率の向上は依然としてコストを削減し、競争力を強化する重要な方法です。
同社はまた、第 5 世代プラットフォームの開発プロセスでコンピューター シミュレーション技術が広範囲に使用され、主要な製造リンクで中国の現地半導体装置メーカーと共同開発が行われたことも明らかにしました。関連する協力により、長新倉庫はより完全な国内サプライチェーン システムを徐々に確立し、外部テクノロジーへの依存を軽減することができました。
この技術開発は、世界のストレージ業界における競争が激化し続ける中で行われました。人工知能産業の急速な拡大に伴い、高性能メモリの需要が爆発的に増加し、世界の大手ストレージ メーカーは先進的な DRAM および HBM 製品への投資を増やしています。
中国にとって、Changxin Storage の第 5 世代プラットフォームの量産参入は、技術力のさらなる向上を意味するだけでなく、現地のストレージ業界がより高度なプロセス ノードに向けて動き続けていることを表しています。今後、新世代のモバイルストレージ製品が徐々に市場に参入するにつれて、Changxin Storage と主要な国際メーカーとの間の競争はさらに激化すると予想されます。
世界のストレージ業界の状況が常に変化していることを背景に、第 5 世代 DRAM プラットフォームの正式な量産は、Changxin Memory の開発におけるもう 1 つの重要なノードと考えられています。また、中国の半導体産業に独自の供給能力を向上させる新たな影響力も加わる。
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