Changxin G6 メモリ領域はさらに 30% 削減、ボンディングプロセスがデビュー
要約:国内DRAMメーカーChangxin Technologyの次世代メモリ技術プラットフォームG6の技術指標予測が最近リークされた。この計画では、Changxin が引き続き DUV リソグラフィープロセスを使用して G6 世代メモリを
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要約:国内DRAMメーカーChangxin Technologyの次世代メモリ技術プラットフォームG6の技術指標予測が最近リークされた。この計画では、Changxin が引き続き DUV リソグラフィープロセスを使用して G6 世代メモリを
概要: 報道によると、ASML は韓国に供給する機器交換部品の価格を 10% 値上げする予定です。値上げの対象となるのは極紫外(EUV)および深紫外(DUV)リソグラフィー装置の全コンポーネントで、来年1月から出荷される製品は新価格となる。
要約:「ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス会社」(ОМК)設立の枠組みの下で、ロシアは3つの新しいチップ工場の建設を計画しており、そのうちの1つは300mmウェーハと14nmプロセスのチップ生産のための「将来を見据えた量産」工場である。
要約: オランダのリソグラフィー装置メーカー ASML は、9 月 8 日にアイントホーフェンに新しい Brainport Industries Campus North の建設を開始しました。プロジェクトは段階的に開発され、総建設面積は約
概要: ASML は、トップチップメーカーから最新の半導体製造装置を使用するという約束を取り付け、より強力な AI テクノロジーに対する急増する需要に応えるため、より広範な契約を開始しました。サムスン電子とTSMCはインテルに加わり、オラン