要約:
報道によると、Samsung Electronics と SK Hynix は極紫外 (EUV) リソグラフィー装置の購入で競争的に発注を行っています。両社の投資規模は10兆〜20兆ウォンの範囲にある。 ASMLは2027年から2028年のEUV装置の供給ギャップを明らかにした。納期を確実に守れるかどうかが、両社の先端DRAM生産拡大の核心となっている。
両社は来年から ASML の EUV 装置を一括して受け取る予定であると報告されています。 SKハイニックスは3月、約11兆9,500億ウォン相当のEUV装置を購入し、納期は2027年12月31日であると明らかにした。供給逼迫の影響を受け、コア装置の納入サイクルは当初の最長サイクルの2倍に延長された。両社は事前に発注することを検討している。状況に応じて追加発注も行う予定で、設備投資がさらに増加する可能性もある。
サムスン電子は、平沢拠点の投資ペースに合わせて同時に注文を増やしました。サムスンは昨年11月、2028年に生産開始を目指す平沢P5生産ラインを含め、5年間で450兆ウォンの現地投資計画を発表した。P5ウェハーファブ1つ当たりの投資規模は60兆ウォンを超えると伝えられている。業界の予想では、P5 クリーン ルーム プロジェクトの第 1 段階が来年前半に完了した後、設備が徐々に現場に入る予定です。サムスンはすでにこの生産ライン用のリソグラフィー装置を発注している。
EUV リソグラフィ マシンは、回路のエッチングに 13.5 ナノメートルの波長光源を使用します。これにより、パターンを分割するために複数の露光に依存していた複数のパターニング プロセスが削減され、精度と歩留まりが向上します。 10nm 第 6 世代 (1c) などの先進的な DRAM では、回路ピッチが縮小し続けるにつれて、EUV プロセス層の数が増加し続けています。 TrendForce によると、SK Hynix は 5 層以上の 1c DRAM で EUV を使用する予定であり、前世代と比較して 2 層増加します。
ASML は今年の第 3 四半期報告書で、2027 年から 2028 年の現在の計画に基づく EUV 供給は顧客の需要を満たすことができないと述べました。今年のEUV出荷台数は約65台で、昨年の44台から50％近く増加した。しかし、2027年に生産能力が30％増加し、2028年にさらに30％の拡大が計画されているとしても、供給は依然として不十分です。中核製品に対する価格上昇の影響は来年から徐々に反映され、2028年には完全に明らかになるだろう。今年の第 3 四半期の時点で、ストレージ顧客はすでに ASML のマシン販売総額の 46% を占めていました。
EUV装置を活用した次世代DRAMの量産プロセスは、一定の安定性を実現しています。サムスンは2020年3月にはEUVを使用した業界初のDRAMモジュールを出荷し、関連プロセスの経験を蓄積した。現在、ストレージ業界で最も多くのEUV装置を保有するメーカーです。 SKハイニックスは2021年2月に利川M16工場で初のEUV装置を稼働させ、昨年9月には業界初の高開口数(High-NA)EUV量産機を導入した。 Samsung は 9 月 8 日、ASML との協力を拡大し、2028 年に高 NA EUV を DRAM 量産に導入する計画であると発表しました。
同時に、バックエンド機器メーカーの注文予約は 2 ～ 3 年分埋まっています。業界関係者によると、HANMI SemiconductorとAmkorの受注予約は基本的に整っているという。両社は熱圧着機（TCボンダー）などAIデータセンターに必要な主要プロセス機器の生産を拡大する。半導体業界の関係者は、「AIデータセンターチップは、高度なフロントエンドプロセスにとって重要であるだけではない。大容量と高性能を実現するために、単一チップの多次元パッケージングと相互接続というバックエンドプロセスの価値が高まり続けている。エコシステムが形成されるにつれて、ハンミ半導体とAmkorも大手フロントエンドメーカーのビジネスサイクルに深く結びついている。」
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